AVP HR PVD System

-高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
-高速率反應濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
-優異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
-高靶材使用率（>80%）