産品技術
Product technology
| 産品技術 | 薄膜刻蝕
AVP ICP RIE System
-廣泛适用于氧化矽、氮化物、金屬、有機薄膜的刻蝕
-ICP産生的高密度等離子體
-可刻蝕8英寸晶圓或9.5英寸基片
-可靠、低成本、高産能
産品參數
TECHNICAL SPECIFICATIONS
工藝腔體材料陶瓷
布局結構單上載腔體或者團簇式結構
工藝腔體離子源徑向ICP
晶圓尺寸Max. 8"
晶圓背冷氦氣
Max. ICP 電源功率RF 5 kW
Max. 基座電源功率RF 1 KW
典型氣體通道數量6個，100~500 sccm MFC
典型氣體Ar, O2, N2, CH4, CF4, SF6, C4F8, Cl2, BCl3, HBr, …
極限真空<5 x 10-7 Torr
真空泵分子泵+幹泵
控制系統DeviceNet/PLC
軟件基于最新windows的控制軟件，可遠程調控
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