産品技術
Product technology
| 産品技術 | 薄膜沉積
AVP 6T GMR PVD
-廣泛适用于MEMS器件、GMR、TMR器件、多層膜、磁性薄膜沉積
-成熟、可靠、低成本、高産能、7/24連續運行的薄膜沉積系統
-歐美工業生産驗證的、成熟的8英寸RF、DC、Pulsed DC等薄膜沉積工藝
-6靶材工藝腔體,尤其适合GMR、TMR等多層膜沉積
産品參數
AVP 6T GMR PVD
工藝腔體(PM)6英寸晶圓,6個12英寸靶材;或8英寸晶圓,6個13英寸靶材
運輸腔體(TM)Brooks MarathronTM Express,帶晶圓位置校準儀
樣品上、下載腔體(LL)Brooks VCE, 12片或定制晶圓盒(Cassette)
磁控管直流/脈沖直流/射頻/射頻磁控;置于腔體上蓋自動靶材擋闆
典型靶材電源直流/脈沖直流磁控:最大5kW;射頻/射頻磁控:最大10kW
晶圓基座
偏壓~1kW射頻電源,用于晶圓置偏壓或預清潔
偏置磁場雙向偏磁場(垂直、平行)
氣體Ar, O2, N2
基底真空< 2 x 10-8 Torr
高真空泵可選,冷泵/分子泵 + 水泵 + 機械泵
自動控制DeviceNet/PLC
軟件基于最新WINDOWS的工業控制軟件
薄膜均勻性σ  < 1.0%