| 腔體材料 | 不鏽鋼 |
| 配置 | 單片載物腔體/集團化結構 |
| 操作腔體 | IBE射頻刻蝕 |
| 射頻離子電源 | SEREN射頻電源和匹配網絡，2千瓦 |
| 金屬栅 | 可選，高電流密度栅/低電流密度栅 |
| PBN | DC 60/600V |
| 基片台控制 | GAIL運動控制系統 |
| 基片台轉動 | 0~15 RPM |
| 基片台傾斜角 | 0~160 度 |
| 基片尺寸 | 8英寸 |
| 基片背冷 | 氦氣 |
| 終點探測儀 | 可選， HIDEN |
| 氣路 | 3~6路，100 sccm氣流控制器 |
| 氣體 | Ar, O2, He |
| 基底真空 | <2 x 10-7 Torr |
| 高真空泵 | 可選，冷泵/分子泵 |
| 自動控制 | DeviceNet/PLC |
| 軟件 | 基于最新windows的控制軟件 |
| 刻蝕均勻性 | σ<1.0% |
| 刻蝕速率 | 2~90 nm/min， 刻蝕SiO2薄膜 |
